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기록

OPC修正方法、版图及半导体器件

발명유효
1조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

高艺超; 陈咏翔; 曾鼎程; 范富杰; 胡展源

IPC 분류

G03F 1/36 (2012.01)G03F 1/72 (2012.01)G03F 7/20 (2006.01)

本发明提供了一种OPC修正方法、版图及半导体器件,属于半导体领域。该OPC修正方法包括提供一版图,所述版图包括若干原始图形。在所述第一凹角转角处朝向所述凸角转角的方向内挖,形成凹槽,以获取修正图形,所述凹槽在所述第一边沿第一方向延伸的第一长度基于所述第一边的参数确定,所述凹槽在所述第二边沿第二方向延伸的第二长度基于所述第二边的参数确定。本发明通过在第一凹角转角处朝向所述凸角转角的方向内挖,形成凹槽,以获取修正图形。修正图形在器件区域形成的图形,能够避免器件区域电连接的位置出现尺寸不一致的情况,能够避免其他半导体结构层与器件区域电性连接时,出现漏电的情况,从而能够提高器件的性能。