光刻方法

本发明涉及一种光刻方法，涉及半导体制备技术领域，该光刻方法中，在去除待加工基板上的第一光阻之后，需要对第一表面进行清洗，清洗第一表面时会使得第一表面具有亲水性，影响了后续光阻与待加工基板之间的粘合性，因此，采用第一反应材料对第一表面进行处理形成第一疏水表面，由于第一疏水表面与第二光阻的粘合性更高，在形成第二光阻时，改善了第二光阻的倒塌问题。又由于掩膜版设置了第一延伸部和第二延伸部，可以让形成的第二光阻中的第一边框具有通道，使得形成的第二光阻在进行清洗时，水流的张力显著降低，进一步避免了第二光阻倒塌的问题。