光阻的去除方法

本申请提供了一种光阻的去除方法，属于半导体技术领域，其包括提供半导体基底；在半导体基底上依次形成感光膨胀胶层及目标光阻层，目标光阻层位于感光膨胀胶层上，且感光膨胀胶层与目标光阻层的感光波段不同；对目标光阻层进行曝光显影，以形成图形化的光阻层；当图形化的光阻层不满足要求时，对感光膨胀胶层进行完全曝光，感光膨胀胶层膨胀以使图形化的光阻层坍塌；以及去除感光膨胀胶层及图形化的光阻层。本申请利用感光膨胀胶层感光膨胀的效应使得图形化的光阻层坍塌，之后去除感光膨胀胶层即可同步去除图形化的光阻层，避免对半导体基底产生损伤或产生光阻残留的问题，还可避免新的光阻曝光之后产生变形、倒塌、剥离等缺陷的问题。