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案件記録
一种基于考虑自漏磁的漏磁内检测器磁路优化设计方法
発明有効
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
李硕; 任乐梅; 张增刚; 田贯三; 邰传民
IPC分類
G06F 30/20 (2020.01)G06F 119/14 (2020.01)
本发明公开了一种基于考虑自漏磁的漏磁内检测器磁路优化设计方法,该方法包括:基于集总参数法建立了考虑自漏磁的漏磁内检测器磁路模型,用以计算背景自漏磁磁感应强度与管壁磁感应强度;该模型包括永磁体、磁轭、钢刷和被测管道的磁阻模型以及永磁体、刚刷的自漏磁阻模型;基于计算的背景自漏磁磁感应强度与管壁磁感应强度,定义了“漏磁检测干扰度”指标,用以衡量磁路背景自漏磁场对缺陷检测信号的干扰程度;通过调整不同的磁路参数获得最小的漏磁检测干扰度,从而减小磁路背景自漏磁场对缺陷检测信号的干扰,提升检测精度。本发明提出的考虑自漏磁的漏磁内检测器磁路优化设计方法能够降低磁路自漏磁对漏磁检测的影响,从而提高漏磁检测精度。
外部リソース