单粒子瞬态效应下FDSOI器件的射频特性仿真分析方法

本发明公开了一种单粒子瞬态效应下FDSOI器件的射频特性仿真分析方法，涉及半导体器件仿真技术领域，该方法包括：建立FDSOI器件的二维初始模型；通过比对仿真与实测电学特性曲线，迭代校准二维初始模型物理参数，获得校准模型；对校准模型施加重离子入射，进行单粒子瞬态效应仿真，获取瞬态响应状态；分别基于校准模型和瞬态响应状态进行交流小信号仿真，提取辐照前后的射频特性参数；通过对比射频特性参数变化，系统评估单粒子瞬态效应对器件射频特性的影响规律。本发明能够准确表征单粒子瞬态效应对FDSOI器件射频特性的影响，为解决空间辐射环境中射频器件的单粒子效应评估提供了有效的仿真手段。