一种基于沟道载流子的2D FET的紧凑模型的构建方法

本发明涉及二维半导体技术领域，具体涉及一种基于沟道载流子的2D FET的紧凑模型的构建方法，方法包括：确定2D FET的紧凑模型的边界条件方程，利用边界条件方程确定源端的源端边界条件和漏端的漏端边界条件；基于边界条件方程得到紧凑模型的电流生成模块；将源端边界条件和漏端边界条件输入到电流生成模块得到直流工况下2D FET的漏极电流的紧凑模型；以载流子相空间作为紧凑模型的分析工具将二维半导体微元工况用多个相区划分，并将2D FET中所有沟道微元的载流子分布映射至载流子相空间，得到器件漏源电流与载流子之间的积分关系。通过本发明的技术方案，使得2D FET的紧凑模型在进行仿真时和实际器件的性能差距较小，仿真准确性较高。