一种高密度嵌入式动态随机存取片上缓存装置及实现方法

本发明公布了一种高密度嵌入式动态随机存取片上缓存装置及实现方法，包括改进的读出电流差异增强型高密度eDRAM存储阵列和读出电路；读出电路包括一组两步式电源门控感测放大器和读出时序控制电路；通过优化片上缓存读出晶体管的阈值电压选择，扩大存储不同值时读出电流的差异比例；通过对缓存内存阵列结构进行优化，排除干扰电流的影响；并设计两步式电源门控感测放大器，通过精确控制感测过程中不同特性的两级电路的开启时间，提升读出电流分辨能力，并有效控制功耗。本发明提供的片上缓存技术方案在数据保持时间、能源效率和存储密度实现良好平衡，特别适用于对能效和存储容量有严格要求的边缘计算设备与人工智能应用场景。