实施具有目标电平选择的存储器装置编程抑制操作

本公开涉及实施具有目标电平选择的存储器装置编程抑制操作。一种存储器装置包含存储器阵列及控制逻辑，其操作地与所述存储器阵列耦合，以执行包含以下的操作：选择所述存储器阵列的第一群组的位线，所述第一群组的位线对应于将在编程循环期间被编程的目标编程电平；选择所述存储器阵列的第二群组的位线，所述第二群组的位线对应于将在所述编程循环期间被抑制的编程电平；使抑制偏置电压被施加到所述第二群组的位线；及在所述第一编程循环期间使接地电压被施加以对所述第一群组的位线进行编程。所述第二群组的位线包含对应于尚未被编程的编程电平的至少一条位线。