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一种原位固相合成VO@VCTMXene超级电容器电极材料的制备方法
발명유효
1조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
张文欣; 马伟民; 钟昌发
IPC 분류
H01G 11/86 (2013.01)H01G 11/46 (2013.01)H01G 11/30 (2013.01)H01G 11/26 (2013.01)H01G 11/24 (2013.01)H01G 11/32 (2013.01)B82Y 30/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)
本发明公开了一种原位合成VO@VCTMXene超级电容器电极材料的制备方法,原位固相合成法是一种通过固态前驱体在热处理下直接发生反应,生成目标产物的方法。该方法具有反应均匀、界面接触好、无溶剂污染等优点。此原位固相合成方法使VO与VCT在纳米尺度上形成强耦合的异质结,电子传输阻抗极低。VCT骨架有效抑制了VO在循环中的体积膨胀/收缩,获得了超长的循环寿命。方法简单,无需复杂模板或后处理,易于规模化生产。复合材料兼具高比容量、优异倍率性能和超长循环稳定性俱佳。制备高性能VO@VCTMXene超级电容器电极材料,解决了VO导电性差和传统复合方法界面不稳固的难题。这种方法实现了原子级尺度的界面耦合,最大限度地提升复合材料的电化学性能。