基于复合结构的自旋极化电子源及其性能计算方法和设备

本申请公开了一种基于复合结构的自旋极化电子源及其性能计算方法和设备，自旋极化电子源包括发射基体和覆盖在所述发射基体的发射端的薄膜，所述发射基体的材料包括具有低功函数的材料，所述薄膜的材料包括高极化率的材料，所述发射基体的发射端呈锥形，所述发射端的曲率半径与所述发射基体的直径满足预设要求，所述发射端的薄膜的厚度根据所述发射端的曲率半径和所述发射基体的直径确定。本申请实施例能够提高自旋极化电子源的自旋极化率和发射稳定性等性能。本申请可以广泛应用于电子源技术领域。