硅碳负极材料及其制备方法

本发明提供了硅碳负极材料及其制备方法，具体涉及负极材料技术领域，所述负极材料包括多孔碳骨架基体和硅材料，所述多孔碳骨架基体中设有孔隙，所述硅材料沉积于所述孔隙内，所述负极材料的表面还包覆有包覆层，所述负极材料中硅材料的含量还满足以下关系式：硅含量=X+40*孔容，其中硅含量以质量百分比wt%表示，X为调整系数，X的取值范围为20wt%≤X≤21wt%。采用本发明的技术方案，能够用于解决硅含量与多孔碳孔容的匹配优化、硅分布的精准评估问题，从而提升硅碳负极材料的比容量、导电性和循环稳定性。