基于GaAs二极管的多谐振腔反射式移相结构及波导移相器

本发明公开基于GaAs二极管的多谐振腔反射式移相结构及波导移相器，涉及太赫兹移相器领域，解决现有技术实现相移时往往需要采用多个GaAs二极管,而GaAs二极管在装配时会不可避免的出现的人为误差，导致相移精度变差的技术问题；本发明包括波导谐振模块和有源移相控制模块，所述有源移相控制模块横向贯穿波导谐振模块的侧面，并与波导谐振模块接触，所述波导谐振模块由多个相同宽度的波导谐振腔依次连接组成，所述有源移相控制模块包括GaAs二极管，所述GaAs二极管位于波导谐振模块内部；本发明只需采用两个GaAs二极管即可实现180°相移，减小GaAs二极管的装配误差，提高器件可靠性和良率。