一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

本发明属于半导体激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。所述激光器包括自下而上依次设置的热沉、底发射VCSEL芯片与光学微结构阵列，所述底发射VCSEL芯片通过倒装键合与热沉连接，所述光学微结构阵列设置于所述底发射VCSEL芯片的基底下方；所述底发射VCSEL芯片包括基底与基底上设置的外延层，所述外延层上设置有刻蚀沟槽，所述刻蚀沟槽设置于外延层内，且刻蚀沟槽贯穿部分外延层，形成圆柱形波导。本发明的激光器通过提升芯片散热特性以提高芯片输出功率反转点，进而增大芯片输出功率。