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기록
一种具有多边缘谐振结构的薄膜体声波谐振器结构及制作方法
발명유효
1조회수
5청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
聂萌; 王磊
IPC 분류
H03H 9/17 (2006.01)H03H 9/13 (2006.01)H03H 3/02 (2006.01)H10N 30/076 (2023.01)H10N 30/082 (2023.01)
本发明公开了一种具有多边缘谐振结构的FBAR结构及制作方法。FBAR结构包括核心谐振结构以及边缘结构,边缘结构包括在核心谐振结构的边缘沿与谐振区域厚度方向相垂直方向交替分布的第一边缘谐振结构、第二边缘谐振结构。第一边缘谐振结构、第二边缘谐振结构与核心谐振结构采用连续压电层。第一边缘谐振结构、第二边缘谐振结构的底电极和顶电极关于压电层对称设置,且均由两层不同材质的电极构成。通过调整各个电极的厚度,使得核心谐振结构、第一边缘谐振结构和第二边缘谐振结构的串联谐振频率相等,核心谐振结构、第一边缘谐振结构和第二边缘谐振结构的并联谐振频率相等,实现并联谐振点频率的偏移减小,提高FBAR的品质因数。