一种减少PMOS管开启冲击电流的电路

本发明涉及MOS管保护电路设计的改进，具体为一种减少PMOS管开启冲击电流的电路，增加本发明的电路后，实现流过PMOS管的冲击电流能降低50%以上，大大降低了对PMOS管的冲击电流。包括PMOS管Q1，三极管Q2的基极B外接控制电压，发射极E接地，集电极C与电阻R2连接后分别与PMOS管Q1的栅极G、电阻R1一端连接，电阻R2另一端与PMOS管Q1的源极S连接，PMOS管Q1的源极S还与输入电压连接，PMOS管的漏极D输出电压，输出电压接滤波电容C1；还包括PNP型三极管Q3、NPN型三极管Q4、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C2和二极管D1。