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기록
一种适用于SiC MOSFET的被动式多级电压软关断电路
발명유효
8청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
张雷; 姚志远; 郭润东; 杨素素; 郑一专; 成佳俊; 刘宇晗; 秦奥
IPC 분류
H03K 17/16 (2006.01)H03K 17/284 (2006.01)
本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的被动式多级电压软关断电路,包括驱动主支路、若干降压支路、驱动电阻、放电电阻以及驱动供电电路。驱动供电电路在开通SiC MOSFET 时由正向电源供电,在关断SiC MOSFET 时由负向电源供电。各降压支路分别并联在驱动主支路的两端;降压支路包括依次串联的降压延时单元,降压动作单元和降压单元;各降压支路的延时时间依次增加,降压压降依次增加。本发明能够通过改变降压支路的数量从而方便地控制电压级数,无需增加额外的电源模块,且降压时间可以由降压延时支路控制,大幅增加驱动的自由度,该电路复杂度低、降压自由度高、可靠性高。