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기록

半导体元件

발명유효
1조회수
12청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10B 12/00 (2023.01)

本公开提供一种半导体元件。半导体元件包括一半导体基底,具有一主动区;以及一字元线,延伸穿过该主动区。该主动区包括设置在该字元线的相对侧上的一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区。该半导体元件还包括一位元线接触件以及一位元线,设置在该第一源极/漏极区上方并电性连接到该第一源极/漏极区。该位元线接触件具有一锥形轮廓。该位元线设置在该位元线接触件上方。该半导体元件亦包括一电容器接触件,设置在该第二源极/漏极区上方并电性连接到该第二源极/漏极区。另外,半导体元件还包括一间隙子层,共形地包围该半导体基底和该位元线。