存储器件

一种存储器件，包括：局部位线结构，在平行于衬底的表面并且彼此相交的第一方向和第二方向上布置，并且跨过多个垂直层级延伸；第一沟道结构和第二沟道结构，在多个层级中的每个层级上在第一方向上延伸，并且分别接触局部位线结构中的每个的侧壁并具有第一杂质区和第二杂质区；栅极结构，在多个层级中的每个层级上在第二方向上延伸，并且分别接触在第二方向上布置的沟道结构；单元电容器，与第二杂质区接触；第一互连图案，分别电连接到在多个层级中的一个或更多个第一层级上的第二杂质区；以及第二互连图案，分别电连接到在一个或更多个第一层级上的第二杂质区。