具有3.5F2结构的布局的DRAM元件

一种具有3.5F2结构的布局的DRAM元件，包括：基板；多个位线，位于基板上，隔着规定的间隔在第一水平方向上彼此平行配置；多个字线，位于位线上，隔着规定的间隔在与第一水平方向实质垂直的第二水平方向上彼此平行配置；多个沟道图案，以蜂窝结构配置在位线上，分别沿垂直方向延伸，各沟道图案包括上部电极和下部电极，上部电极和下部电极之间的区域为主体区域；栅极绝缘图案，位于多个沟道图案和多个字线之间，多个字线包括配置在彼此不同的高度上的第一、第二字线，第一、第二字线在第一水平方向上彼此交替配置，与单个字线接触的多个沟道图案排列在同一直线上，位于单个位线上的多个沟道图案沿着单个位线的两侧边缘以锯齿状排列。