形成半导体结构的方法

本发明提供了一种方法，包括在基板的阵列区中的介电堆叠和硬遮罩层中形成沟槽，其中阵列区中的硬遮罩层的顶表面低于周边区中的硬遮罩层的顶表面。在硬遮罩层上和沟槽中依序形成底部电极层和保护氧化层。在阵列区中的保护氧化层上形成硬遮罩，以消除阵列区与周边区之间的阶差，使得介电堆叠的支撑层在后续工艺中保持均匀，且保护氧化层用于保护底部电极层免受蚀刻，从而降低电容摆动的可能性并防止短路。