一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法

本申请公开了一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上沉积第一刻蚀膜层；在第一刻蚀膜层中定义出第一沟槽图形；基于第一刻蚀膜层，进行多次刻蚀工艺，以在衬底中形成十字交叉的第一沟槽；对第一沟槽进行氧化物填充工艺，得到十字交叉的浅沟槽隔离结构；对衬底的有源区进行离子注入工艺；在衬底上沉积第二刻蚀膜层；通过光刻和刻蚀工艺，在第二刻蚀膜层上定义出第二沟槽图形，第二沟槽图形覆盖所有沿第一方向延伸的浅沟槽隔离结构；基于第二刻蚀膜层，刻蚀位于第二沟槽图形下方的浅沟槽隔离结构和衬底，形成栅沟槽；对位于栅沟槽底部的衬底进行离子注入工艺；填充栅沟槽，得到选择栅结构。