BE-SONOS嵌入式存储器结构及工艺方法

本发明公开了一种BE‑SONOS嵌入式存储器结构，所述的BE‑SONOS嵌入式存储器包含选择栅、控制栅以及浮栅；所述的控制栅位于浮栅之上，所述的浮栅与控制栅之间以绝缘介质层隔离；所述的控制栅以及浮栅为多组，所述的选择栅为沟槽型，位于相邻的控制栅以及浮栅之间的衬底之中；沟槽型的选择栅两侧的衬底中形成沟道区；所述的浮栅为复合型的BE‑SONOS多层结构，其从下至上依次为第一氧化层、第一氮化层、第二氧化层、第二氮化层、第三氧化层。本发明利用氮化物中Si悬挂键可以俘获电子跟空穴特性，氮化物作为电子俘获层，将现有结构的浮栅floating gate用BE‑SONOS结构代替，载流子注入效率相对提高，制造工艺上使用的掩膜版更少，降低工艺时长，提高制造效率。