半导体结构及其制造方法、存储器系统

本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、半导体层、第一阶梯结构、第二阶梯结构以及连接结构。其中，第二堆叠结构位于第一堆叠结构的一侧。半导体层位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间。第一阶梯结构位于第一堆叠结构中，并包括沿周向方向分布的多个第一台阶结构。第二阶梯结构位于第二堆叠结构中，并包括沿周向方向分布的多个第二台阶结构。连接结构沿第一堆叠结构和第二堆叠结构的堆叠方向延伸，并与一个第一台阶结构和一个第二台阶结构连接。