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기록

包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统

발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

S·R·耶杜鲁; 斯瓦帕尼尔·A·朗加德

IPC 분류

H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)

本申请案涉及包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统。一种微电子装置包含:堆叠结构,其具有相对于彼此竖直堆叠的层级;及支柱结构,其分别包含竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述层级的半导体材料。所述堆叠结构的所述层级分别包含:绝缘材料;形状记忆材料,其与所述绝缘材料竖直相邻;及导电材料,其与所述形状记忆材料竖直相邻。