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一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法

발명유효
4조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10B 61/00 (2023.01)H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/20 (2023.01)H10N 50/80 (2023.01)H10N 50/85 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)

本发明公开了一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法,涉及高密度磁存储器领域,包括基板,所述基板呈平坦的板状结构,所述基板采用硅、二氧化硅或蓝宝石中的至少一种材料构成,所述基板的上表面经过化学机械抛光或原子级平整处理,以提供具有低于0.2纳米均方根粗糙度的超光滑表面;缓冲层,所述缓冲层的厚度介于1纳米至20纳米之间,所述缓冲层呈薄膜层状结构;该自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法,通过将基板通过原子级平整处理,缓冲层通过晶格匹配设计促进后续层外延生长,隧道势垒层与磁性层界面粗糙度<0.3纳米,大幅降低界面散射对自旋传输的影响;且自由磁性层采用垂直磁各向异性设计,实现超高存储密度。