基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法

本发明涉及先进材料、集成电路与微电子器件技术领域，提出了基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法，所提出的器件包括自下而上依次堆叠的衬底、第一栅电极、第一二维范德华交变磁性材料层、第二栅电极、第一二维范德华铁磁材料层、二维范德华绝缘材料层、第二二维范德华铁磁材料层、第三栅电极、第二二维范德华交变磁性材料层、第四栅电极和封装层。本发明在单一器件单元内实现了光信号的感知、信息的非易失存储以及逻辑计算功能的集成，实现了原子层构筑单一器件的感存算一体化功能。基于此，通过组合互联多个器件单元，可进一步实现与门、或门和非门等基本逻辑功能，为拓展其应用场景奠定了坚实的基础。