PIP电容的制作方法

本申请公开了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有耦合氧化物层，耦合氧化物层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层的上方形成有第二多晶硅层，衬底的第一区域中形成有字线多晶硅，第一区域形成有第一氧化物层和第二氧化物层；对第一区域和第二区域进行刻蚀，直至第二区域的耦合氧化物层暴露；形成第三氧化物层；在第三氧化物层上形成第三多晶硅层；对第一区域进行刻蚀，去除第一区域的第三多晶硅层且在第一区域的第一氧化物层、第一多晶硅层和第二多晶硅层中形成第一沟槽；对第二区域进行刻蚀，在第二区域的第三多晶硅层中形成第二沟槽；对第三区域进行刻蚀，在第三多晶硅层中形成第三沟槽。