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案件記録

电容器结构及其制备方法

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§ Ⅰ

案件概要

発明者

刘效森; 刘洲彤; 安彭; 杨国山; 柴国星; 周亦康; 董秋立; 郑凯

IPC分類

H10D 1/68 (2025.01)

本申请公开了一种电容器结构及电容器结构的制备方法。该电容器结构包括:基底;第1至第m个导电层,沿着远离所述基底的方向堆叠设置,相邻的两个所述导电层之间设有介质层;m为大于或等于3的整数;其中,对于第n导电层和第(n+1)导电层,n≥1,(n+1)≤m,所述第n导电层设有刻蚀侧壁,所述第(n+1)导电层覆盖所述第n导电层的所述刻蚀侧壁;所述刻蚀侧壁包括斜坡,和/或,所述刻蚀侧壁与所述第n导电层的上表面平滑过渡连接。

外部リソース