一种硅电容及其制备方法

本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽，采用博世工艺的深反应离子刻蚀使得立柱的侧壁沿竖直方向为波浪面；在导电衬底上形成介质结构，介质结构覆盖凹槽的侧壁、底壁以及立柱的上表面；在介质结构上沉积上电极；刻蚀上电极，以使上电极对应每个立柱形成电极块，电极块、与电极块投影重叠的介质结构和导电衬底形成电容组件；在电极块上形成钝化层；刻蚀钝化层并制备引出电极，引出电极与多个电极块分别连接，形成硅电容。该硅电容及其制备方法，能够提高硅电容的电容密度。