n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法

本发明公开了一种n型氮化镓肖特基界面处理方法及n型氮化镓肖特基二极管的制备方法。n型氮化镓肖特基界面处理方法包括：以第一氨水稀释溶液对n型氮化镓的肖特基界面进行清洁处理；在真空环境中，以氮等离子体对n型氮化镓的肖特基界面进行反应修复处理；以第二氨水稀释溶液对n型氮化镓的肖特基界面进行钝化修复处理，第二氨水稀释溶液的浓度小于第一氨水稀释溶液的浓度。本发明可解除n型氮化镓的Ga‑O键，除去自然氧化层，修复表面缺陷态，减小表面杂质元素含量，改善表面形貌和性状，降低表面陷阱态密度，进而实现更为适合肖特基制备的界面状态，基于此制备的GaN肖特基二极管开启电压有效降低、泄漏电流得到改善，整体性能得到提升。