一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法

本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域，公开了一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法，制造方法包括以下步骤：以P或N型硅为衬底，在衬底两侧均进行扩散处理形成第一中间件，第一中间件的两侧可分为打标侧和非打标侧；在非打标侧对第一中间件减薄形成第二中间件，并对第二中间件进行退火处理形成第三中间件；对第三中间件进行扩散处理，在第三中间件的两侧形成N+区，从而得到第四中间件。本发明基于硅半导体材料，在SOS效应基础结构的P区和N区，采用多次、多步扩散工艺，分别制造了具有特定浓度分布的电荷节流结构层，有效降低了器件的导通电阻，并提高了器件的开关速度，极大地降低了器件的耗散功率。