基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法

本发明公开了一种基于基底温度精密调控微波整流用氮化镓肖特基二极管势垒高度的方法，所述方法为利用磁控溅射法制备氮化镓肖特基二极管的肖特基阳极，通过连续调控磁控溅射时的基底温度来调控氮化镓肖特基二极管的势垒高度，基底温度调整的温度间隔为25~100℃，可实现势垒高度在0.1~1.0 eV范围内连续精确可调。本发明通过在不含肖特基阳极的肖特基二极管的基础上，选用磁控溅射方法制备肖特基金属，并通过调整磁控溅射过程中的基底温度来调控肖特基二极管的势垒高度，揭示了肖特基二极管的势垒高度随基底温度线性增加的规律，势垒高度和开启电压可在较大的范围内调整，且开启电压的调整精度低至0.01 V。