导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法

本发明公开了一种导通压降呈正温度系数的功率器件及其制作方法，制作方法包括：在所述N型衬底上外延生长第一N型外延层；在所述第一N型外延层的表面注入形成间隔分布的多个P型逆转区；在所述第一N型外延层上外延生长第二N型外延层；完成器件的后续制作工艺。本发明中，通过在温度系数逆转区域形成间隔分布的多个较浓p型掺杂的P型逆转区，可以提高器件导通压降的正温度系数，降低器件的制造成本。