半导体结构和半导体结构的形成方法

一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底包括第一有源区、第二有源区和齐纳二极管掺杂区，第一有源区包括有效区、以及环绕有效区的边缘区，齐纳二极管掺杂区位于有效区下方，第二有源区位于第一有源区的两侧；浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构位于基底内，第一有源区的四周、第二有源区的四周和齐纳二极管掺杂区的四周均环绕有浅沟槽隔离结构，并且，浅沟槽隔离结构的底面低于第一有源区、第二有源区和齐纳二极管掺杂区的底面；金属硅化物层，金属硅化物层至少位于有效区的顶面；硅化物阻挡层，硅化物阻挡层至少位于边缘区的顶面。本发明能够减少边缘效应、抑制局部掺杂分布变化，并保护器件击穿特性。