一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法

本发明公开一种集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，该集成高热导介质的碳化硅肖特基二极管包括：碳化硅衬底，其为第一掺杂类型；碳化硅漂移层，形成在碳化硅衬底上，其为第一掺杂类型；多个结终端结构，其为第二掺杂类型，间隔分布于碳化硅漂移层的上部；高热导介质层，其作为钝化层和散热层，间隔分布且覆盖各结终端结构；肖特基接触阳极，覆盖高热导介质层，并在高热导介质层的间隔区与碳化硅漂移层相接触；钝化层，覆盖肖特基接触阳极的两侧；欧姆接触阴极，形成在碳化硅衬底背面。