半导体器件及其制备方法

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层具有第一掺杂类型；多个第一掺杂区，间隔的位于外延层中，第一掺杂区具有背离衬底的第一表面和靠近衬底的第二表面，第一表面包括第一曲面，且第一曲面沿第一方向突出，第二表面包括第二曲面，第二曲面沿第二方向突出，定义以第二曲面中任意一点为端点的射线为目标射线，目标射线沿第二方向的反方向延伸，目标射线与第一曲面相交，第一掺杂区具有第二掺杂类型；肖特基金属层，至少位于外延层背离衬底的一侧表面上；背面金属，位于得到衬底背离外延层的一侧，解决了现有技术中半导体器件在沟槽处易被击穿的问题。