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竖直异质结双极晶体管

발명유효
3조회수
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

C·R·肯尼; V·贾因; J·J·佩卡里克; J·R·霍尔特; A·M·德里克森; M·纳法里

IPC 분류

H10D 10/80 (2025.01)H10D 10/01 (2025.01)

本公开涉及半导体结构,更具体地涉及竖直异质结双极晶体管及制造方法。该结构包括:集电极区,其位于半导体衬底上方;基极区,其位于集电极区上方;发射极区,其邻近基极区;以及底切结构,其位于半导体衬底上方并邻近集电极区。