一种增强型半导体功率器件的制造方法

本申请提供了一种增强型半导体功率器件的制造方法，包括以下步骤：在外延结构上依次沉积P‑GaN层、栅金属以及牺牲介质层；进行栅金属刻蚀，在栅金属刻蚀后，沉积Spacer介质层；在Spacer介质层沉积后，对Spacer介质层刻蚀，从而在不需要对P‑GaN层刻蚀的部分上方保留Spacer介质层和牺牲介质层；在Spacer介质层刻蚀后，根据残留的Spacer介质层和牺牲介质层，对P‑GaN层进行刻蚀；在P‑GaN层刻蚀后，提高势垒层上的Al元素的摩尔分数浓度，来提高二维电子气浓度。本申请可以在外延生长后提高AL元素的摩尔分数，从而提高2DEG的浓度，并且不会影响该器件的其他性能指标。