一种SiC开关器件及制备方法

本申请提供一种SiC开关器件及制备方法，该制备方法包括提供一衬底层；在衬底层上设置外延层；在外延层上采用中温工艺制备过渡膜层，在过渡膜层上设置掩蔽层，掩蔽层暴露出部分过渡膜层；其中，中温工艺制备过渡膜层的制备温度为300℃至800℃；在掩蔽层背离过渡膜层的一侧对过渡膜层进行离子注入，并在外延层内形成掺杂区；去除过渡膜层和掩蔽层；本申请中通过中温工艺制备过渡膜层，相较于传统技术中采用高温工艺制备过渡膜层的方式，减少了金属离子与SiC反应的情况，有利于提高SiC开关器件的性能。