半导体结构及其制备方法

本申请提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖与栅极邻接的半导体衬底表面和栅极侧壁的第一氧化层；形成覆盖半导体衬底表面、栅极表面和第一氧化层表面的叠层结构，叠层结构包括第一介质层和第二氧化层，并进行刻蚀，形成栅极的侧墙结构，侧墙结构包括保留下来的第一氧化层、第一介质层和第二氧化层，保留下来的第一介质层覆盖位于栅极侧壁的第一氧化层的侧壁以及位于半导体衬底表面的第一氧化层的上表面和侧壁。侧墙结构中第一氧化层的底部完全是处于第一介质层的封闭保护中，在后续制程中，避免了第一氧化层的底部侧壁被刻蚀内凹而使半导体结构的内部形成孔洞，解决了半导体结构漏电现象。