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기록
具有抑制Fe掺杂尾迹效应的GaN HEMT及其制备方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
侯斌; 潘添奇; 杜佳乐; 杨凌; 常青原; 张濛; 武玫; 芦浩; 马晓华; 郝跃
IPC 분류
H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/47 (2025.01)H10D 62/824 (2025.01)H10D 62/815 (2025.01)
本申请提供了一种具有抑制Fe掺杂尾迹效应的GaN HEMT及其制备方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、Fe掺杂的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上交替多次生长单层AlN和单层GaN得到AlN/GaN超晶格叠层；在AlN/GaN超晶格叠层上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层。本申请的AlN/GaN超晶格叠层通过周期性的晶格应变与能带偏移，形成多重势垒，有效抑制Fe原子的扩散。同时，超晶格界面处的应力振荡可促使位错发生反应与合并，从而降低位错密度，提高材料的结晶完整性与击穿电压。