高电子迁移率晶体管及其制备方法

本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，利用石墨烯场板采代替传统的金属场板，石墨烯材料相对于金属材料，其载流子迁移率更高，其电阻尤其在高频状态下远低于金属材料，可以降低器件的电阻损耗，金属场板因表面粗糙度和应力的关系，对于场板下方的介质层厚度有一定要求，而石墨烯为二维材料，与介质可以紧密接触不存在缺陷，因此场板下方的介质层厚度可以做到更薄，从而降低栅漏电容，另外，石墨烯为二维材料，可以避免场板侧壁引入边缘电场，从而可以减少栅漏电容的寄生分量。