一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件

本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件，包括衬底、氮化镓结构和场效应晶体管；所述氮化镓结构包括缓冲层、氮化镓通道层、铝镓氮势垒层、漏极一、源极一、P型氮化镓层和栅极一；所述场效应晶体管包括P缓冲层、源极二、栅极二、漏极二和栅氧化层，所述衬底的左端表面沉积生成有若干鳍状凸起结构，所述氮化镓结构位于鳍状凸起结构上形成鳍形GaN结构；所述场效应晶体管位于衬底的右端表面处，其中所述场效应晶体管上的源极二与栅极一直接连接。本发明通过将GaN HEMT制备于三维鳍形结构之上，显著增大了单位芯片面积内的导电沟道面积，从而实现了极高的电流密度与功率密度。