半导体器件及其制备方法、电子设备

本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于提高半导体器件的电学性能。半导体器件包括：基底，以及位于基底上的第一极、第二极、多个沟道层和栅极结构。多个沟道层位于第一极和第二极之间，沟道层的一端与第一极连接，沟道层的另一端与第二极连接。沿基底的厚度方向，多个沟道层间隔分布。栅极结构环绕每个沟道层。栅极结构包括多个栅极子部，栅极子部填充相邻沟道层之间的间隙，栅极子部包括朝向第一极的第一侧面，第一侧面与基底垂直，或者，第一侧面朝向其相邻的第一极凸出。本申请实施例提供的半导体器件，可以通过改变所形成的栅极子部的第一侧面的形貌，提高半导体器件件的电学性能。