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기록

半导体装置

발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

全在镐; 黄东勋

IPC 분류

H10D 30/60 (2025.01)H10D 30/62 (2025.01)H10D 30/00 (2025.01)H10D 62/17 (2025.01)

一种半导体装置,包括:下层间绝缘层;位于下层间绝缘层的上表面上的绝缘图案;位于绝缘图案上的多个底部纳米片;位于多个底部纳米片上的纳米片隔离层,纳米片隔离层包括绝缘材料;位于纳米片隔离层的上表面上的多个上纳米片;位于绝缘图案上的栅电极,栅电极围绕多个底部纳米片、纳米片隔离层和多个上纳米片中的每一个延伸;在绝缘图案上位于栅电极的第一侧上的第一底部源极/漏极区;以及在第一底部源极/漏极区上位于栅电极的第一侧上的第一上源极/漏极区,第一上源极/漏极区与第一底部源极/漏极区间隔开。