屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法

本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：半导体衬底；外延层；多个沟槽，形成在外延层中；源介质层，设置于沟槽的下部；第一多晶硅层，填充于沟槽的下部；栅介质层，设置于沟槽的上部；第二多晶硅层，设置于沟槽的上部，第一多晶硅层与第二多晶硅层之间设有隔离介质层；体区，设置于外延层表层；源区，设置于体区表层；层间介质层，设置于外延层上；源极金属，设置于层间介质层上并连接源区；栅极金属，设置于层间介质层上并连接第二多晶硅层；多个接触孔，第一多晶硅层选择性地与源极金属及栅极金属其中之一的电连接。本发明通过接触孔图案的拓扑优化设计，实现栅漏电荷的定向降低，同时保持器件的雪崩耐量和动态特性。