一种低导通电阻的氧化镓基场效应晶体管及制作方法

本发明公开了一种低导通电阻的氧化镓基功率场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有技术沟道导通电阻大、击穿电压低的问题。其自下而上包括衬底、阻挡层、导电沟道层，该导电沟道层和阻挡层的一端贯穿有沿着栅宽方向分布的若干凹槽，凹槽内设有铁电极化层，相邻凹槽之间的导电沟道层形成漏鳍沟道；源、漏电极分别位于导电沟道层的两端，且漏电极覆盖铁电极化层和漏鳍沟道；栅电极位于源、漏电极之间的栅介质层上。本发明利用铁电材料的极化特性，使得漏鳍沟道区域在加压过程中迅速积累大量电子，在器件开启瞬间形成较大电流降低沟道的导通电阻，并通过漏鳍沟道延伸至漏极边缘处的结构，有效缓解高压条件下漏极一侧的电场聚集效应，降低电场峰值，提升击穿电压，可用于大功率、低功耗的电路系统。