一种具有应变漂移区的超结MOSFET结构及其制备方法

本发明提供一种具有应变漂移区的超结MOSFET结构。包括：高掺杂N型Si衬底、轻掺杂N‑缓冲层、P型SiGe外延层、沟槽、N型Si层、梯形栅极沟槽、Pbody区、高掺杂P+区和高掺杂N+区，所述轻掺杂N‑缓冲层设置于所述高掺杂N型Si衬底上，所述P型SiGe外延层设置于所述轻掺杂N‑缓冲层上，所述沟槽开设于所述P型SiGe外延层上，底部与轻掺杂N‑缓冲层相接触，所述N型Si层设置于所述沟槽上，所述梯形栅极沟槽设置于所述N型Si层上。本发明提供的一种具有应变漂移区的超结MOSFET结构，通过沟槽内设置了N型应变Si层，应变Si层的存在能够显著提高电子迁移率，从而降低漂移区的电阻，改善超结MOSFET的导通性能。