半导体功率器件及其制备方法

本申请提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层在第一方向一侧的漂移层；位于漂移层中的阱区，在第二方向上相邻的阱区之间具有JFET区，JFET区的导电类型和阱区的导电类型相反；其中，JFET区包括在第一方向排布且连接的第一JFET区和第二JFET区，第一JFET区的掺杂浓度小于第二JFET区的掺杂浓度，第一JFET区在第二方向上的平均尺寸小于第二JFET区在第二方向上的平均尺寸；其中，第一方向和第二方向相交。