半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一外延层；向第一外延层中注入第一导电类型的杂质以形成与衬底中埋层连接的第一隔离区；然后在第一外延层上形成第二外延层。本发明通过将传统的单次厚外延和高能注入工艺，分解为两次薄外延和一次低能注入工艺，解决了现有技术中因高能注入导致工艺波动大和晶格损伤严重的问题。该方法显著降低了对光刻工艺的敏感性，减少了缺陷和陷阱，从而有效提升了隔离环穿通电压的稳定性，并改善了半导体器件的电学性能与可靠性。